马晓宝

阅读次数:     日期:2026-06-15


姓名:马晓宝

民族:回族

学历:博士研究生

职称:讲师

邮箱:maxiaobao@nxu.edu.cn

研究方向:1第一性原理计算2材料的掺杂与缺陷3半导体材料的基本性质及应用

教育背景及工作经历:

2015.09-2019.06 武汉大学 物理科学与技术学院 材料物理 学士

2020.09-2025.09 中国科学院大学 长春光学精密机械与物理研究所 凝聚态物理 博士

2025.02 - 至今  宁夏大学 化学化工学院 讲师

科研成果:

1.科研项目:

1GaN基化合物半导体同质集成光电子芯片关键技术研究 国家自然  科学基金项目 参与

(2)AlGaN电导率调控及载流子注入效率提升机制研究 国家重点研发计划 参与

2.代表性研究论文

(1)Xiaobao Ma, Zhiming Shi, et al. Solving the Asymmetric Doping for Wide-Gap Semiconductors by Host-Functionalization: Quantum Engineering Strategy, ACS Applied Materials & Interfaces. (IF=8.5);

(2)Xiaobao Ma, Zhiming Shi, et al. Efficient N-Type Doping of Hexagonal Boron Nitride via Localized Band-Offset Compensation Strategy. Small. (IF=13);

(3)Rajan, RA, Xiaobao Ma, et al. Inhibiting Nonradiative Recombination and Scattering Losses via Ultrafast Pulse Irradiation for Enhanced Perovskite Lasing, ACS Photonics. (IF=6.5);

(4)Bingchen Lv, Yang Chen, Xiaobao Ma, et al. Wafer-Scale Growth and Transfer of High-Quality MoS2 Array by Interface Design for High-Stability Flexible Photosensitive Device, Advanced Science. (IF=14.3);

(5)Zhiming Shi, Hang, Zang, Xiaobao Ma,et al. Grain boundary-driven magnetism in aluminum nitride. Applied Physics Letters. (IF=3.5);

3.代表论著:发明专利:

(1)种补偿降低宽禁带半导体材料掺杂激活能的方法及宽禁带半导体材料 公开号:CN120674306A

(2)实现h-BN高效n型掺杂的方法及半导体材料 公开号:CN120364656A

荣誉奖励: